Вафин саф кремнийдан (Si) эшләнгән. Гадәттә 6 дюйм, 8 дюйм һәм 12 дюйм спецификацияләренә бүленгән вафер бу вафер нигезендә җитештерелә. Cryгары чисталык ярымүткәргечләрдән кристалл тарту һәм кисү кебек процесслар аша әзерләнгән кремний вафлары вафер beca дип атала.түгәрәк формада кулланыгыз. Кремний вафаларында төрле электр элементлары структуралары эшкәртелергә мөмкин, алар махсус электр характеристикалары булган продуктларга әйләнәләр. функциональ интеграль челтәр продуктлары. Ваферлар ярымүткәргеч җитештерү процессын узалар, бик кечкенә схема структураларын формалаштыралар, аннары кисәләр, төрәләр һәм төрле электрон җайланмаларда киң кулланыла торган чипларга сыныйлар. Вафин материаллары 60 елдан артык технологик эволюция һәм сәнәгать үсешен кичерделәр, кремний өстенлек иткән һәм яңа ярымүткәргеч материаллар белән тулыландырылган сәнәгать ситуациясен формалаштырдылар.
Дөньядагы кәрәзле телефоннар һәм компьютерларның 80% Кытайда җитештерелә. Кытай югары җитештерүчән чипларның 95% ы импортка таяна, шуңа күрә Кытай чиплар кертү өчен ел саен 220 миллиард АКШ доллары сарыф итә, бу Кытайның еллык нефть импортыннан ике тапкыр күбрәк. Фотолитография машиналары һәм чип җитештерү белән бәйле барлык җиһазлар һәм материаллар шулай ук блокланган, мәсәлән, вафер, югары чисталыклы металллар, чистарту машиналары һ.б.
Бүген без кыскача вафин машиналарын UV нурларын бетерү принцибы турында сөйләшәчәкбез. Мәгълүмат язганда, астагы рәсемдә күрсәтелгәнчә, капкага югары көчәнешле VPP кулланып, йөзүче капкага зарядка салырга кирәк. Инъекцияләнгән корылманың кремний оксиды пленкасының энергия стенасына үтеп керерлек энергиясе булмаганлыктан, ул статус-кво гына саклый ала, шуңа күрә без корылмага билгеле күләмдә энергия бирергә тиеш! Бу ультрафиолет нуры кирәк вакытта.
Йөзүче капка ультрафиолет нурларын алгач, йөзүче капкадагы электроннар ультрафиолет якты квант энергиясен ала, һәм электроннар кремний оксиды пленкасының энергия стенасына үтеп керү өчен энергия белән кайнар электронга әйләнәләр. Рәсемдә күрсәтелгәнчә, кайнар электроннар кремний оксиды пленкасына үтеп керәләр, субстратка һәм капкага агып, бетерелгән хәлгә кайталар. Сүндерү операциясе ультрафиолет нурларын алу белән генә башкарылырга мөмкин, һәм электрон рәвештә бетереп булмый. Башкача әйткәндә, битләр саны "1" дән "0" га һәм кире якка үзгәртелергә мөмкин. Чипның бөтен эчтәлеген бетерүдән башка чара юк.
Без беләбез, яктылык энергиясе яктылыкның дулкын озынлыгына капма-каршы пропорциональ. Электроннар кайнар электронга әйләнсеннәр һәм шулай итеп оксид пленкасына үтеп керер өчен, кыска дулкын озынлыгы, ягъни ультрафиолет нурлары белән нурланыш бик кирәк. Сүндерү вакыты фотоннар санына бәйле булганлыктан, бетерү вакыты кыска дулкын озынлыкларында да кыскартылмый. Гадәттә, бетерү дулкын озынлыгы 4000А (400нм) булганда башлана. Ул, нигездә, 3000А тирәсендә туенуга ирешә. 3000А астыннан, дулкын озынлыгы кыскарак булса да, ул бетерү вакытына бернинди тәэсир итмәс.
УВны бетерү өчен стандарт - ультрафиолет нурларын төгәл дулкын озынлыгы 253,7нм һәм интенсивлыгы ≥16000 μ W / см². Чистарту операциясе 30 минуттан 3 сәгатькә кадәр экспозиция вакыты белән тәмамланырга мөмкин.
Пост вакыты: 22-2023 декабрь